详述u盘芯片MLC、SLC和TLC究竟哪个好？

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详述u盘芯片MLC、SLC和TLC究竟哪个好？

2013-08-09 08:42:19

u盘芯片里有SLC、TLC和MLC区分，那么它们都代表什么呢？含义是什么？今天u启动小编就跟大家详细介绍下MLC、SLC和TLC的含义。

什么是SLC？什么是MLC？什么是TLC？MLC、SLC、TLC三代闪存的特性和差异又怎样？

以下是SLC、MLC、TLC三代闪存的详细介绍和寿命差异比较：

【SLC芯片详细介绍】

“SLC”英文全称“Single-Level Cell”（即单层式储存），又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于“Silicon efficiency”的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

SLC特性：运转和反应速度快，使用寿命长，价格也很贵，大概是“MLC”价格的三倍以上，大约十万次写入（擦写）寿命。

【MLC芯片详细介绍】

“MLC”英文全称“Multi-Level Cell”（即多层式储存），又名“2bit/cell”，主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔（Intel）在1997年9月最先开发出MLC，它作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

MLC特性：运转和反应速度一般、使用寿命一般，购买价格也一般，大约3000到10000次的写入（擦写）寿命。

【TLC芯片详细介绍】

“TLC”英文全称“Triple-Level Cell”，又名“3bit/cell”，也有Flash厂商称它为“8LC”，TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

TLC特性：它的运转和反应速度最慢，使用的寿命也最短，而且价格也最便宜，大约500次的写入（擦写）寿命，到目前位置，还没有哪个厂家能够做到1000次写入（擦写）的。

目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。

u启动简单说明：闪存的寿命指的是写入（擦写）的次数，而不是读出的次数，因为读取对u盘芯片的寿命影响不大。

SLC、MLC和TLC三代闪存芯片寿命差异比较：

SLC闪存利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。

MLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC（容量大了一倍，寿命缩短为1/10）。

TLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC（容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20）。

【SLC和MLC的优势比较】

鉴于目前u盘市场主要以SLC芯片和MLC芯片储存为主，就让我们多了解下SLC和MLC储存吧。

SLC的架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次存储4个值以上，所以MLC架构的储存密度较高，而且还可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与品质优势。

MLC和SLC相比较，MLC生产成本要低，且容量大。要是经过改进的话，MLC的读写性能还会进一步地提升！

【SLC和MLC的缺点比较】

MLC架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比SLC要短，MLC架构只能够承受1万次的擦写，而SLC架构却可以承受10万次的擦写。

其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右，而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢！